Інші пропозиції AON6998 за ціною від 36.23 грн до 36.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AON6998 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
 Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 31/54A; 8/13W; DFN5x6 Case: DFN5x6 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET x2 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 31/54A Gate charge: 13nC On-state resistance: 5.2/2.6mΩ Power dissipation: 8/13W Gate-source voltage: ±12V; ±20V Semiconductor structure: asymmetric |
на замовлення 2074 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| AON6998 |
|
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 31/54A; 8/13W; DFN5x6
Case: DFN5x6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 31/54A
Gate charge: 13nC
On-state resistance: 5.2/2.6mΩ
Power dissipation: 8/13W
Gate-source voltage: ±12V; ±20V
Semiconductor structure: asymmetric
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 31/54A; 8/13W; DFN5x6
Case: DFN5x6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 31/54A
Gate charge: 13nC
On-state resistance: 5.2/2.6mΩ
Power dissipation: 8/13W
Gate-source voltage: ±12V; ±20V
Semiconductor structure: asymmetric
на замовлення 2074 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 36.23 грн |