
AON6998 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 31/54A; 8/13W; DFN5x6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 31/54A
On-state resistance: 5.2/2.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 8/13W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V; ±20V
Mounting: SMD
Case: DFN5x6
Semiconductor structure: asymmetric
на замовлення 2285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
12+ | 33.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AON6998 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Description: MOSFET 2N-CH 30V 19A/26A 8DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3.1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A, 26A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-DFN (5x6), Part Status: Not For New Designs.
Інші пропозиції AON6998 за ціною від 40.00 грн до 41.63 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
AON6998 | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 31/54A; 8/13W; DFN5x6 Drain-source voltage: 30V Drain current: 31/54A On-state resistance: 5.2/2.6mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 8/13W Polarisation: unipolar Gate charge: 13nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V; ±20V Mounting: SMD Case: DFN5x6 Semiconductor structure: asymmetric кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2285 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||
AON6998 Код товару: 165965
Додати до обраних
Обраний товар
|
Мікросхеми > Транзисторні збірки |
товару немає в наявності
|
|||||||||
AON6998 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||
![]() |
AON6998 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||
![]() |
AON6998 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 19A/26A 8DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A, 26A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Part Status: Not For New Designs |
товару немає в наявності |
|||||||
![]() |
AON6998 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 19A/26A 8DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A, 26A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Part Status: Not For New Designs |
товару немає в наявності |