AON7264E

AON7264E Alpha & Omega Semiconductor


aon7264e.pdf Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 28A 8-Pin DFN-A EP T/R
на замовлення 85000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+21.42 грн
10000+19.71 грн
15000+18.75 грн
25000+17.74 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AON7264E Alpha & Omega Semiconductor

Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 28A 8DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 17A, 10V, Power Dissipation (Max): 27.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-DFN-EP (3x3), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 30 V.

Інші пропозиції AON7264E за ціною від 19.01 грн до 22.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AON7264E AON7264E Виробник : Alpha & Omega Semiconductor aon7264e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 28A 8-Pin DFN-A EP T/R
на замовлення 85000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+22.95 грн
10000+21.12 грн
15000+20.09 грн
25000+19.01 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
AON7264E AON7264E Виробник : Alpha & Omega Semiconductor 478aon7264e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 28A 8-Pin DFN-A EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AON7264E AON7264E Виробник : Alpha & Omega Semiconductor aon7264e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 28A 8-Pin DFN-A EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AON7264E AON7264E Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON7264E.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 28A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 27.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN-EP (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.