
AON7408 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11.5A; 4.5W; DFN3x3 EP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 11.5A
Power dissipation: 4.5W
Case: DFN3x3 EP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.1nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
18+ | 23.36 грн |
35+ | 11.19 грн |
100+ | 9.89 грн |
103+ | 8.76 грн |
282+ | 8.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AON7408 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Description: MOSFET N-CH 30V 10A/18A 8DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 11W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-DFN-EP (3x3), Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 448 pF @ 15 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15.
Інші пропозиції AON7408 за ціною від 9.56 грн до 28.03 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
AON7408 | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11.5A; 4.5W; DFN3x3 EP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 11.5A Power dissipation: 4.5W Case: DFN3x3 EP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7.1nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3018 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
AON7408 | Виробник : ALPHA |
![]() кількість в упаковці: 44 шт |
на замовлення 31 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AON7408 Код товару: 84416
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() 8542 39 90 00 |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
![]() |
AON7408 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
AON7408 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
AON7408 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 11W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN-EP (3x3) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 448 pF @ 15 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
AON7408 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 11W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN-EP (3x3) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 448 pF @ 15 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 |
товару немає в наявності |