Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції AON7408 за ціною від 8.50 грн до 21.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
AON7408 | Виробник : ALPHA |
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 32mOhm; 18A; 11W; -55°C ~ 150°C; AON7408 TAON7408кількість в упаковці: 44 шт |
на замовлення 28 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
AON7408 | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11.5A; 4.5W; DFN3x3 EP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 11.5A Power dissipation: 4.5W Case: DFN3x3 EP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7.1nC Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2289 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
AON7408 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin DFN-A EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
AON7408 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 10A/18A 8DFNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 11W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN-EP (3x3) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 448 pF @ 15 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
AON7408 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 10A/18A 8DFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 11W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN-EP (3x3) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 448 pF @ 15 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 |
товару немає в наявності |



