
AON7421 Alpha & Omega Semiconductor
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 19.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AON7421 Alpha & Omega Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 30A/50A 8DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 6.2W (Ta), 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-DFN-EP (3.3x3.3), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4550 pF @ 10 V.
Інші пропозиції AON7421 за ціною від 25.67 грн до 121.76 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
AON7421 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
AON7421 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
AON7421 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.2W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN-EP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4550 pF @ 10 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
AON7421 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1359 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
AON7421 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1359 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
AON7421 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.2W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN-EP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4550 pF @ 10 V |
на замовлення 3570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
AON7421 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
AON7421 | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -39A; 33W; DFN3.3x3.3 EP Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -39A Power dissipation: 33W Case: DFN3.3x3.3 EP Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 4.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 44nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
AON7421 | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -39A; 33W; DFN3.3x3.3 EP Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -39A Power dissipation: 33W Case: DFN3.3x3.3 EP Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 4.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 44nC Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |