Продукція > ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR INC. > AON7522E
AON7522E

AON7522E Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON7522E.pdf Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 21A/34A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN-EP (3x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540 pF @ 15 V
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+13.23 грн
10000+11.76 грн
15000+11.26 грн
25000+10.05 грн
35000+9.98 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AON7522E Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 30V 21A/34A 8DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 34A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-DFN-EP (3x3), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540 pF @ 15 V.

Інші пропозиції AON7522E за ціною від 12.33 грн до 70.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AON7522E AON7522E Виробник : Alpha & Omega Semiconductor aon7522e.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 34A 8-Pin DFN-A EP
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
302+40.90 грн
466+26.52 грн
471+26.25 грн
618+19.27 грн
1000+12.33 грн
Мінімальне замовлення: 302
В кошику  од. на суму  грн.
AON7522E AON7522E Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON7522E.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 21A/34A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN-EP (3x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540 pF @ 15 V
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.34 грн
10+35.39 грн
100+22.89 грн
500+16.43 грн
1000+14.81 грн
2000+13.44 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
AON7522E AON7522E Виробник : Alpha & Omega Semiconductor aon7522e.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 34A 8-Pin DFN-A EP
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+70.63 грн
16+44.25 грн
25+43.82 грн
100+27.40 грн
250+25.11 грн
500+18.36 грн
1000+12.69 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
AON7522E AON7522E Виробник : Alpha & Omega Semiconductor aon7522e.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 34A 8-Pin DFN-A EP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AON7522E AON7522E Виробник : Alpha & Omega Semiconductor aon7522e.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 34A 8-Pin DFN-A EP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AON7522E AON7522E Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A3F3540BEC1F6A50&compId=AON7522E-DTE.pdf?ci_sign=d12386c6c891ffa6b372f6716805685c2d1b98c6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 27A; 12W; DFN3x3 EP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 27A
Power dissipation: 12W
Case: DFN3x3 EP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19.7nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.