
AON7524 Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 30V 25A/28A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN-EP (3x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 15 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
5000+ | 17.63 грн |
10000+ | 15.74 грн |
15000+ | 15.11 грн |
25000+ | 13.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AON7524 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 25A/28A 8DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 28A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 32W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-DFN-EP (3x3), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 15 V.
Інші пропозиції AON7524 за ціною від 17.81 грн до 75.60 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
AON7524 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 32W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN-EP (3x3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 15 V |
на замовлення 51827 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
AON7524 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
![]() |
на замовлення 95 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
AON7524 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
AON7524 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
AON7524 | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22A; 12.8W; DFN3x3 EP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 22A Power dissipation: 12.8W Case: DFN3x3 EP Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 3.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 16nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
AON7524 | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22A; 12.8W; DFN3x3 EP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 22A Power dissipation: 12.8W Case: DFN3x3 EP Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 3.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 16nC Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |