Продукція > ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR INC. > AONP36332
AONP36332

AONP36332 Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AONP36332.pdf Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 30V 24A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.4W (Ta), 33W (Tc), 3.1W (Ta), 30W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 50A (Tc), 20A (Ta), 50A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V, 4.7mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V, 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN-EP (3.3x3.3)
на замовлення 2932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+141.61 грн
10+86.63 грн
25+73.53 грн
100+55.10 грн
250+48.32 грн
500+44.17 грн
1000+40.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AONP36332 Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET 2N-CH 30V 24A 8DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3.4W (Ta), 33W (Tc), 3.1W (Ta), 30W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 50A (Tc), 20A (Ta), 50A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V, 4.7mOhm @ 20A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V, 30nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-DFN-EP (3.3x3.3).

Інші пропозиції AONP36332

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AONP36332 AONP36332 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. AONP36332.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 24A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.4W (Ta), 33W (Tc), 3.1W (Ta), 30W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 50A (Tc), 20A (Ta), 50A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V, 4.7mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V, 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN-EP (3.3x3.3)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.