Продукція > ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR INC. > AONR21307
AONR21307

AONR21307 Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AONR21307.pdf
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET P-CH 30V 24A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN-EP (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1995 pF @ 15 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+19.89 грн
10000+17.80 грн
15000+17.11 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AONR21307 Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET P-CH 30V 24A 8DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 17A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 28W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-DFN-EP (3x3), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1995 pF @ 15 V.

Інші пропозиції AONR21307 за ціною від 20.03 грн до 83.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AONR21307 AONR21307 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. AONR21307.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 24A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN-EP (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1995 pF @ 15 V
на замовлення 22876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.71 грн
10+50.55 грн
100+33.22 грн
500+24.18 грн
1000+21.92 грн
2000+20.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
AONR21307 AONR21307 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor aonr21307.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 17A 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AONR21307 AONR21307 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor aonr21307.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 17A 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AONR21307 Виробник : AOS AONR21307.pdf MOSFET P-CH 30V 24A 8DFN Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.