AONR21321 Alpha & Omega Semiconductor
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 7.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AONR21321 Alpha & Omega Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 24A 8DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 24W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-DFN-EP (3x3), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 15 V.
Інші пропозиції AONR21321 за ціною від 7.90 грн до 51.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AONR21321 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin DFN EP T/R |
на замовлення 1619 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
AONR21321 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET P-CH 30V 24A 8DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 24W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN-EP (3x3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 15 V |
на замовлення 154200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
AONR21321 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin DFN EP T/R |
на замовлення 1619 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
AONR21321 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET P-CH 30V 24A 8DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 24W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN-EP (3x3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 15 V |
на замовлення 154916 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| AONR21321 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
P-Channel 30 V 24A (Tc) 4.1W (Ta), 24W (Tc) Surface Mount 8-DFN-EP (3x3) |
на замовлення 10 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
|
AONR21321 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin DFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
| AONR21321 | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; 9.6W; DFN3x3 Mounting: SMD Case: DFN3x3 Power dissipation: 9.6W Polarisation: unipolar Type of transistor: P-MOSFET Gate charge: 11nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 16.5mΩ Drain current: -20A Drain-source voltage: -30V кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
| AONR21321 | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; 9.6W; DFN3x3 Mounting: SMD Case: DFN3x3 Power dissipation: 9.6W Polarisation: unipolar Type of transistor: P-MOSFET Gate charge: 11nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 16.5mΩ Drain current: -20A Drain-source voltage: -30V |
товару немає в наявності |