AONR21321

AONR21321 Alpha & Omega Semiconductor


aonr21321.pdf Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+7.32 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AONR21321 Alpha & Omega Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 30V 24A 8DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 24W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-DFN-EP (3x3), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 15 V.

Інші пропозиції AONR21321 за ціною від 8.04 грн до 50.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AONR21321 AONR21321 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. AONR21321.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 24A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN-EP (3x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 15 V
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+11.07 грн
10000+9.81 грн
15000+9.37 грн
25000+8.34 грн
35000+8.07 грн
50000+8.04 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
AONR21321 AONR21321 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor aonr21321.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 1048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
656+19.07 грн
658+18.99 грн
799+15.65 грн
803+15.02 грн
931+11.99 грн
Мінімальне замовлення: 656
В кошику  од. на суму  грн.
AONR21321 AONR21321 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor aonr21321.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 1048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+23.87 грн
35+20.43 грн
50+19.62 грн
100+14.97 грн
250+14.31 грн
500+12.33 грн
1000+9.81 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
AONR21321 AONR21321 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. AONR21321.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 24A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN-EP (3x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 15 V
на замовлення 90868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.29 грн
11+30.32 грн
100+19.46 грн
500+13.89 грн
1000+12.48 грн
2000+11.29 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
AONR21321 AONR21321 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor aonr21321.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AONR21321 Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A6B1C0755F97B820&compId=AONR21321.pdf?ci_sign=1155ed21776898b816aff0448137470ad7191c03 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; 9.6W; DFN3x3
Mounting: SMD
Case: DFN3x3
Drain current: -20A
Drain-source voltage: -30V
Gate charge: 11nC
On-state resistance: 16.5mΩ
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 9.6W
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±25V
Type of transistor: P-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.