Продукція > ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR INC. > AONR21357

AONR21357 Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Name: AONR21357
Brand: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
SKU: 13217190-3
Price: 390.50 UAH
Availability: InStock

Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET P-CH 30V 21A/34A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN-EP (3x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 15 V

на замовлення 1963 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	78.10 грн
10+	47.06 грн
100+	30.80 грн
500+	22.35 грн
1000+	20.23 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис AONR21357 Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET P-CH 30V 21A/34A 8DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 34A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 30W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-DFN-EP (3x3), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 15 V.

Інші пропозиції AONR21357

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
AONR21357 Код товару: 215468 Додати до обраних Обраний товар		Транзистори > Польові P-канальні	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
AONR21357	Виробник : Alpha & Omega Semiconductor	Trans MOSFET P-CH 30V 21A 8-Pin DFN-A EP T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
AONR21357	Виробник : Alpha & Omega Semiconductor	Trans MOSFET P-CH 30V 21A 8-Pin DFN-A EP T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
AONR21357	Виробник : Alpha & Omega Semiconductor	Trans MOSFET P-CH 30V 21A 8-Pin DFN-A EP T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
AONR21357	Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc.	Description: MOSFET P-CH 30V 21A/34A 8DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN-EP (3x3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 15 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
AONR21357	Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR	Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -32.5A; 12W; DFN3x3 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -32.5A Power dissipation: 12W Case: DFN3x3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 7.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 25nC Kind of channel: enhancement	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.