AONR36366

AONR36366 Alpha & Omega Semiconductor Inc.


AONR36366.pdf Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 30A/34A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN-EP (3x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1835 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+15.62 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AONR36366 Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 30V 30A/34A 8DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 34A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 28W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-DFN-EP (3x3), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1835 pF @ 15 V.

Інші пропозиції AONR36366 за ціною від 15.84 грн до 69.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AONR36366 AONR36366 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. AONR36366.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 30A/34A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN-EP (3x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1835 pF @ 15 V
на замовлення 8795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.24 грн
10+41.31 грн
100+26.80 грн
500+19.31 грн
1000+17.42 грн
2000+15.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AONR36366 AONR36366 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor aonr36366.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 34A 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AONR36366 AONR36366 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor 5698644284882908aonr36366.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 34A 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AONR36366 Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AONR36366.pdf AONR36366 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.