
AONR66924 Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: N
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN-EP (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 50 V
на замовлення 4635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 92.31 грн |
10+ | 55.87 грн |
25+ | 47.02 грн |
100+ | 34.71 грн |
250+ | 30.10 грн |
500+ | 27.28 грн |
1000+ | 24.52 грн |
2500+ | 22.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AONR66924 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: N, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 32A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 30W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-DFN-EP (3x3), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 50 V.
Інші пропозиції AONR66924
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
AONR66924 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
||
AONR66924 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
||
![]() |
AONR66924 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN-EP (3x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |