AONS36306

AONS36306 Alpha & Omega Semiconductor


aons36306.pdf Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
N-Channel MOSFET
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AONS36306 Alpha & Omega Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 28A/63A 8DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 63A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 6.2W (Ta), 31W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-DFN (5x6), Part Status: Active, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V.

Інші пропозиції AONS36306 за ціною від 13.76 грн до 60.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AONS36306 AONS36306 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor aons36306.pdf N-Channel MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AONS36306 AONS36306 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. AONS36306.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 28A/63A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AONS36306 AONS36306 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. AONS36306.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 28A/63A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V
на замовлення 5097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.34 грн
10+35.78 грн
100+23.14 грн
500+16.60 грн
1000+14.95 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
AONS36306 AONS36306 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor aons36306.pdf N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AONS36306 Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AONS36306.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 63A; Idm: 108A; 12.5W; DFN5x6
Mounting: SMD
Case: DFN5x6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 63A
On-state resistance: 5.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 12.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 108A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AONS36306 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor aons36306.pdf N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AONS36306 Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AONS36306.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 63A; Idm: 108A; 12.5W; DFN5x6
Mounting: SMD
Case: DFN5x6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 63A
On-state resistance: 5.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 12.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 108A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.