AONS62614T Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 39A/100A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 30 V
на замовлення 1907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 221.00 грн |
| 10+ | 138.33 грн |
| 100+ | 95.86 грн |
| 500+ | 75.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AONS62614T Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 39A/100A 8DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 142W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-DFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 30 V.
Інші пропозиції AONS62614T за ціною від 80.60 грн до 80.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AONS62614T | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
N Channel Trench Power MOSFET |
на замовлення 2042 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
|
AONS62614T Код товару: 214185
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||
|
AONS62614T | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 39A 8-Pin DFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||
|
|
AONS62614T | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 39A/100A 8DFNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 142W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |
|||||
|
AONS62614T | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolar; 60V; 39A; 7.5W; DFN8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: AlphaSGT™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 39A Power dissipation: 7.5W Case: DFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 90nC Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |

