AONS62614T

AONS62614T Alpha & Omega Semiconductor Inc.


AONS62614T.pdf Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 39A/100A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 30 V
на замовлення 1907 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+221.00 грн
10+138.33 грн
100+95.86 грн
500+75.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AONS62614T Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 60V 39A/100A 8DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 142W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-DFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 30 V.

Інші пропозиції AONS62614T за ціною від 80.60 грн до 80.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AONS62614T Виробник : Alpha & Omega Semiconductor aons62614t.pdf N Channel Trench Power MOSFET
на замовлення 2042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+80.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AONS62614T
Код товару: 214185
Додати до обраних Обраний товар

AONS62614T.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AONS62614T AONS62614T Виробник : Alpha & Omega Semiconductor aons62614t.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 39A 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AONS62614T AONS62614T Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. AONS62614T.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 39A/100A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AONS62614T AONS62614T Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AONS62614T.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolar; 60V; 39A; 7.5W; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: AlphaSGT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 39A
Power dissipation: 7.5W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.