AONS66521 Alpha & Omega Semiconductor Inc.


AONS66521.pdf
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: N
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.2W (Ta), 215W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
на замовлення 1571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+274.15 грн
10+173.43 грн
100+122.16 грн
500+103.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AONS66521 Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: N, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Supplier Device Package: 8-DFN (5x6), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 6.2W (Ta), 215W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 20A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 100A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції AONS66521

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
AONS66521 AONS66521 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AONS66521.pdf Description: N
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.2W (Ta), 215W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AONS66521 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AONS66521.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 100A; Idm: 400A; 86W; DFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 86W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AONS66521 AONS66521.pdf
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: N
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.2W (Ta), 215W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AONS66521 AONS66521.pdf
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 100A; Idm: 400A; 86W; DFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 86W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.