Продукція > ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR INC. > AONS66811
AONS66811

AONS66811 Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AONS66811.pdf
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: N
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 8V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 258W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5750 pF @ 40 V
на замовлення 2246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+270.27 грн
10+170.59 грн
100+119.53 грн
500+92.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AONS66811 Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: N, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 200A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 8V, Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 258W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-DFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5750 pF @ 40 V.

Інші пропозиції AONS66811

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
AONS66811 AONS66811 Alpha & Omega Semiconductor aons66811.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 41A 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AONS66811 AONS66811 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AONS66811.pdf Description: N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 8V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 258W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5750 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AONS66811 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AONS66811.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 287A; Idm: 1148A; 182W; DFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 287A
Pulsed drain current: 1148A
Power dissipation: 182W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 77nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AONS66811 aons66811.pdf
AONS66811
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 41A 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AONS66811 AONS66811.pdf
AONS66811
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 8V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 258W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5750 pF @ 40 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AONS66811 AONS66811.pdf
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 287A; Idm: 1148A; 182W; DFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 287A
Pulsed drain current: 1148A
Power dissipation: 182W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 77nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.