AONY36352


AONY36352.pdf
Код товару: 190950
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції AONY36352 за ціною від 37.56 грн до 136.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
AONY36352 AONY36352 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AONY36352.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 18.5A 8DFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, 1.9V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 52nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 20A, 10V, 2mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 15V, 2555pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 49A (Tc), 30A (Ta), 85A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 3.1W (Ta), 21W (Tc), 3.1W (Ta), 45W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+37.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AONY36352 AONY36352 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AONY36352.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 31/72.5A; 8.5/18W; DFN5x6
Case: DFN5x6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 31/72.5A
Gate charge: 11nC
On-state resistance: 5.3/2mΩ
Power dissipation: 8.5/18W
Gate-source voltage: ±12V; ±20V
Semiconductor structure: asymmetric
на замовлення 2039 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+65.33 грн
8+52.35 грн
10+46.45 грн
100+43.63 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AONY36352 AONY36352 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AONY36352.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 18.5A 8DFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, 1.9V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 52nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 20A, 10V, 2mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 15V, 2555pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 49A (Tc), 30A (Ta), 85A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 3.1W (Ta), 21W (Tc), 3.1W (Ta), 45W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.69 грн
10+83.69 грн
100+56.40 грн
500+41.96 грн
1000+38.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AONY36352 AONY36352.pdf
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 30V 18.5A 8DFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, 1.9V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 52nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 20A, 10V, 2mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 15V, 2555pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 49A (Tc), 30A (Ta), 85A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 3.1W (Ta), 21W (Tc), 3.1W (Ta), 45W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+37.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AONY36352 AONY36352.pdf
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 31/72.5A; 8.5/18W; DFN5x6
Case: DFN5x6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 31/72.5A
Gate charge: 11nC
On-state resistance: 5.3/2mΩ
Power dissipation: 8.5/18W
Gate-source voltage: ±12V; ±20V
Semiconductor structure: asymmetric
на замовлення 2039 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+65.33 грн
8+52.35 грн
10+46.45 грн
100+43.63 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AONY36352 AONY36352.pdf
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 30V 18.5A 8DFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, 1.9V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 52nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 20A, 10V, 2mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 15V, 2555pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 49A (Tc), 30A (Ta), 85A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 3.1W (Ta), 21W (Tc), 3.1W (Ta), 45W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+136.69 грн
10+83.69 грн
100+56.40 грн
500+41.96 грн
1000+38.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.