Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > AONY36352

AONY36352

AONY36352.pdf
Код товару: 190950
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції AONY36352 за ціною від 38.23 грн до 138.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
AONY36352 AONY36352 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AONY36352.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 18.5A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 21W (Tc), 3.1W (Ta), 45W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 49A (Tc), 30A (Ta), 85A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 15V, 2555pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 20A, 10V, 2mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 52nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+38.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AONY36352 AONY36352 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AONY36352.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 31/72.5A; 8.5/18W; DFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 31/72.5A
Power dissipation: 8.5/18W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±12V; ±20V
On-state resistance: 5.3/2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 11nC
Semiconductor structure: asymmetric
на замовлення 1875 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+67.55 грн
8+54.47 грн
10+48.20 грн
21+46.22 грн
57+43.74 грн
100+43.24 грн
500+42.34 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AONY36352 AONY36352 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AONY36352.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 18.5A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 21W (Tc), 3.1W (Ta), 45W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 49A (Tc), 30A (Ta), 85A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 15V, 2555pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 20A, 10V, 2mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 52nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 11087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.84 грн
10+85.19 грн
50+64.20 грн
100+53.87 грн
500+42.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AONY36352 AONY36352.pdf
AONY36352
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 30V 18.5A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 21W (Tc), 3.1W (Ta), 45W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 49A (Tc), 30A (Ta), 85A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 15V, 2555pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 20A, 10V, 2mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 52nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+38.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AONY36352 AONY36352.pdf
AONY36352
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 31/72.5A; 8.5/18W; DFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 31/72.5A
Power dissipation: 8.5/18W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±12V; ±20V
On-state resistance: 5.3/2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 11nC
Semiconductor structure: asymmetric
на замовлення 1875 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+67.55 грн
8+54.47 грн
10+48.20 грн
21+46.22 грн
57+43.74 грн
100+43.24 грн
500+42.34 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AONY36352 AONY36352.pdf
AONY36352
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 30V 18.5A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 21W (Tc), 3.1W (Ta), 45W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 49A (Tc), 30A (Ta), 85A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 15V, 2555pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 20A, 10V, 2mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 52nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 11087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+138.84 грн
10+85.19 грн
50+64.20 грн
100+53.87 грн
500+42.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.