Продукція > ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR > AOSD26313C
AOSD26313C

AOSD26313C ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB8CDDE0EC0DE2C0C7&compId=AOSD26313C.pdf?ci_sign=acdef2891089f6a95734e8f0e78aec83d67ff009 Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; -30/30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: -30/30V
Drain current: 5.4/-4.4A
Power dissipation: 1.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26/55mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 33nC
Version: ESD
на замовлення 2962 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+24.29 грн
29+13.79 грн
90+10.52 грн
246+9.96 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AOSD26313C ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel Complementary, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.7W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 5.7A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 15V, 1100pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V, 32mOhm @ 5.7A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 33nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC.

Інші пропозиції AOSD26313C за ціною від 11.96 грн до 29.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AOSD26313C AOSD26313C Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB8CDDE0EC0DE2C0C7&compId=AOSD26313C.pdf?ci_sign=acdef2891089f6a95734e8f0e78aec83d67ff009 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; -30/30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: -30/30V
Drain current: 5.4/-4.4A
Power dissipation: 1.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26/55mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 33nC
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2962 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.15 грн
25+17.18 грн
90+12.62 грн
246+11.96 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
AOSD26313C Виробник : Alpha & Omega Semiconductor aosd26313c.pdf 30V Complementary MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOSD26313C AOSD26313C Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOSD26313C.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 5.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 15V, 1100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V, 32mOhm @ 5.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.