Продукція > ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR INC. > AOSD62666E
AOSD62666E

AOSD62666E Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOSD62666E.pdf
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 60V 9.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+30.43 грн
6000+27.29 грн
9000+26.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AOSD62666E Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET 2N-CH 60V 9.5A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.5W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active.

Інші пропозиції AOSD62666E за ціною від 21.94 грн до 112.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
AOSD62666E AOSD62666E ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOSD62666E.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 7.5A; 1.6W; SO8; ESD
Version: ESD
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.5A
Gate charge: 6.5nC
On-state resistance: 14.5mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 1272 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+55.48 грн
15+27.75 грн
25+24.10 грн
100+21.94 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOSD62666E AOSD62666E Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOSD62666E.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 9.5A 8SOIC
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2.5W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 27231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.61 грн
10+69.10 грн
100+46.24 грн
500+34.21 грн
1000+31.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOSD62666E Alpha? Semiconductor AOSD62666E.pdf 2N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 9,5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 755 @ 20, Qg, нКл = 10 @ 4,5 В, Rds = 14, 5 мОм @ 9,5A, 10 В, Ugs(th) = 2,2 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+25.27 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOSD62666E AOSD62666E.pdf
AOSD62666E
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 7.5A; 1.6W; SO8; ESD
Version: ESD
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.5A
Gate charge: 6.5nC
On-state resistance: 14.5mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 1272 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+55.48 грн
15+27.75 грн
25+24.10 грн
100+21.94 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOSD62666E AOSD62666E.pdf
AOSD62666E
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 60V 9.5A 8SOIC
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2.5W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 27231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+112.61 грн
10+69.10 грн
100+46.24 грн
500+34.21 грн
1000+31.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOSD62666E AOSD62666E.pdf
Виробник: Alpha? Semiconductor
2N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 9,5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 755 @ 20, Qg, нКл = 10 @ 4,5 В, Rds = 14, 5 мОм @ 9,5A, 10 В, Ugs(th) = 2,2 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+25.27 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.