Продукція > ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR INC. > AOSD62666E
AOSD62666E

AOSD62666E Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOSD62666E.pdf
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 60V 9.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+30.80 грн
6000+27.63 грн
9000+27.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AOSD62666E Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET 2N-CH 60V 9.5A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.5W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active.

Інші пропозиції AOSD62666E за ціною від 24.71 грн до 114.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AOSD62666E AOSD62666E Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOSD62666E.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 9.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 27231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+114.00 грн
10+69.95 грн
100+46.81 грн
500+34.63 грн
1000+31.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AOSD62666E Виробник : Alpha? Semiconductor AOSD62666E.pdf 2N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 9,5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 755 @ 20, Qg, нКл = 10 @ 4,5 В, Rds = 14, 5 мОм @ 9,5A, 10 В, Ugs(th) = 2,2 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: SOICN-8 Од.
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+24.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AOSD62666E AOSD62666E Виробник : Alpha & Omega Semiconductor aosd62666e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 9.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.