Продукція > ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR INC. > AOSD62666E
AOSD62666E

AOSD62666E Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOSD62666E.pdf Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 60V 9.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+32.05 грн
6000+28.74 грн
9000+28.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AOSD62666E Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET 2N-CH 60V 9.5A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.5W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active.

Інші пропозиції AOSD62666E за ціною від 24.57 грн до 118.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AOSD62666E AOSD62666E Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOSD62666E.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 9.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 27231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+118.60 грн
10+72.78 грн
100+48.70 грн
500+36.03 грн
1000+32.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AOSD62666E Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOSD62666E.pdf AOSD62666E Multi channel transistors
на замовлення 3361 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.25 грн
43+25.99 грн
118+24.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AOSD62666E AOSD62666E Виробник : Alpha & Omega Semiconductor aosd62666e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 9.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOSD62666E AOSD62666E Виробник : Alpha & Omega Semiconductor 254aosd62666e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 9.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.