Продукція > ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR INC. > AOSN21319C
AOSN21319C

AOSN21319C Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOSN21319C.pdf Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET P-CH 30V 2.6A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.08 грн
6000+9.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AOSN21319C Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET P-CH 30V 2.6A SC70-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: SC-70-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V.

Інші пропозиції AOSN21319C за ціною від 11.72 грн до 47.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AOSN21319C AOSN21319C Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOSN21319C.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2.6A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V
на замовлення 6699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.80 грн
12+28.57 грн
100+18.32 грн
500+13.05 грн
1000+11.72 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
AOSN21319C Виробник : Alpha & Omega Semiconductor aosn21319c.pdf P-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOSN21319C Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOSN21319C.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.6A; Idm: -10A; 700mW; SC70
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 0.7W
Case: SC70
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.