AOSP21307 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2W; SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11A
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 11.5mΩ
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±25V
на замовлення 1065 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 47.86 грн |
| 20+ | 20.08 грн |
| 23+ | 17.78 грн |
| 53+ | 17.62 грн |
| 100+ | 16.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AOSP21307 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Description: MOSFET P-CH 30V 14A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 14A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1995 pF @ 15 V.
Інші пропозиції AOSP21307
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
AOSP21307 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
P-Channel MOSFET |
товару немає в наявності |
|
 |
AOSP21307 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
P-Channel MOSFET |
товару немає в наявності |
|
 |
AOSP21307 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET P-CH 30V 14A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1995 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |