Продукція > ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR > AOSP21321
AOSP21321

AOSP21321 Alpha & Omega Semiconductor

aosp21321.pdf Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AOSP21321 Alpha & Omega Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 15 V.

Інші пропозиції AOSP21321 за ціною від 9.66 грн до 53.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AOSP21321 AOSP21321 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor aosp21321.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP21321 AOSP21321 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor aosp21321.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP21321 AOSP21321 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOSP21321.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.56 грн
6000+11.09 грн
9000+10.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP21321 AOSP21321 Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOSP21321.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.5A; 2W; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.5A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Mounting: SMD
на замовлення 2771 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
23+18.73 грн
29+13.33 грн
88+10.19 грн
241+9.66 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP21321 AOSP21321 Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOSP21321.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.5A; 2W; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.5A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2771 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
14+22.48 грн
25+16.62 грн
88+12.23 грн
241+11.59 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP21321 AOSP21321 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOSP21321.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 15 V
на замовлення 14155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+53.32 грн
10+31.88 грн
100+20.56 грн
500+14.71 грн
1000+13.23 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP21321 AOSP21321 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor aosp21321.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP21321 AOSP21321 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor aosp21321.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.