AOSP21321 Alpha & Omega Semiconductor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 3000+ | 7.32 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AOSP21321 Alpha & Omega Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 15 V. 
Інші пропозиції AOSP21321 за ціною від 10.16 грн до 53.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | 
            Доступність             | 
        Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
                      | 
        AOSP21321 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor | 
            
                         Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R         | 
        
                             на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
        
            
  | 
    ||||||||||||
                      | 
        AOSP21321 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor | 
            
                         Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R         | 
        
                             на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
        
            
  | 
    ||||||||||||
                      | 
        AOSP21321 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 
            
                         Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 15 V  | 
        
                             на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
        
            
  | 
    ||||||||||||
                      | 
        AOSP21321 | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | 
            
                         Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.5A; 2W; SO8 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Case: SO8 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -8.5A Gate charge: 18nC On-state resistance: 30mΩ Power dissipation: 2W Gate-source voltage: ±25V  | 
        
                             на замовлення 2492 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | 
        
            
  | 
    ||||||||||||
                      | 
        AOSP21321 | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | 
            
                         Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.5A; 2W; SO8 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Case: SO8 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -8.5A Gate charge: 18nC On-state resistance: 30mΩ Power dissipation: 2W Gate-source voltage: ±25V кількість в упаковці: 1 шт  | 
        
                             на замовлення 2492 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) | 
        
            
  | 
    ||||||||||||
                      | 
        AOSP21321 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 
            
                         Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOICPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 15 V  | 
        
                             на замовлення 12019 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
        
            
  | 
    ||||||||||||
                      | 
        AOSP21321 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor | 
            
                         Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R         | 
        
                             товару немає в наявності                      | 
        |||||||||||||
                      | 
        AOSP21321 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor | 
            
                         Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R         | 
        
                             товару немає в наявності                      | 
        



