Продукція > ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR INC. > AOSP21321
AOSP21321

AOSP21321 Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOSP21321.pdf
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+14.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AOSP21321 Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 15 V.

Інші пропозиції AOSP21321 за ціною від 10.73 грн до 77.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
AOSP21321 AOSP21321 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOSP21321.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.5A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2731 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
24+18.97 грн
32+13.50 грн
100+11.99 грн
500+10.73 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP21321 AOSP21321 Alpha & Omega Semiconductor aosp21321.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
290+48.80 грн
447+31.66 грн
452+31.34 грн
594+22.99 грн
1000+19.01 грн
Мінімальне замовлення: 290 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP21321 AOSP21321 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOSP21321.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 15 V
на замовлення 8298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.57 грн
10+35.85 грн
50+26.28 грн
100+21.75 грн
500+16.62 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP21321 AOSP21321 Alpha & Omega Semiconductor aosp21321.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+77.98 грн
16+49.29 грн
25+48.80 грн
100+30.53 грн
250+27.98 грн
500+20.44 грн
1000+18.25 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP21321 AOSP21321.pdf
AOSP21321
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.5A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2731 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+18.97 грн
32+13.50 грн
100+11.99 грн
500+10.73 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP21321 aosp21321.pdf
AOSP21321
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
290+48.80 грн
447+31.66 грн
452+31.34 грн
594+22.99 грн
1000+19.01 грн
Мінімальне замовлення: 290 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP21321 AOSP21321.pdf
AOSP21321
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 15 V
на замовлення 8298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+59.57 грн
10+35.85 грн
50+26.28 грн
100+21.75 грн
500+16.62 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP21321 aosp21321.pdf
AOSP21321
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+77.98 грн
16+49.29 грн
25+48.80 грн
100+30.53 грн
250+27.98 грн
500+20.44 грн
1000+18.25 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.