AOSP21357 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12.5A; 2W; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12.5A
On-state resistance: 8.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Mounting: SMD
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 54.47 грн |
| 18+ | 21.46 грн |
| 21+ | 18.85 грн |
| 55+ | 16.32 грн |
| 151+ | 15.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AOSP21357 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Description: MOSFET P-CH 30V 16A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 15 V.
Інші пропозиції AOSP21357 за ціною від 18.58 грн до 133.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
AOSP21357 | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12.5A; 2W; SO8 Case: SO8 Drain-source voltage: -30V Drain current: -12.5A On-state resistance: 8.5mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Gate charge: 25nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 239 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
AOSP21357 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET P-CH 30V 16A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 15 V |
на замовлення 2213 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
AOSP21357 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
AOSP21357 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
AOSP21357 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET P-CH 30V 16A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |