AOSP36326C

AOSP36326C Alpha & Omega Semiconductor Inc.


AOSP36326C.pdf Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 542 pF @ 15 V
на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.07 грн
6000+10.64 грн
9000+10.14 грн
15000+8.99 грн
21000+8.67 грн
30000+8.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AOSP36326C Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 542 pF @ 15 V.

Інші пропозиції AOSP36326C за ціною від 9.91 грн до 51.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AOSP36326C AOSP36326C Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOSP36326C.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 542 pF @ 15 V
на замовлення 30957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.46 грн
11+30.97 грн
100+19.89 грн
500+14.19 грн
1000+12.75 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP36326C Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOSP36326C.pdf AOSP36326C SMD N channel transistors
на замовлення 2942 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
16+21.13 грн
112+10.51 грн
307+9.91 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP36326C Виробник : Alpha & Omega Semiconductor aosp36326c.pdf N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.