
AOT13N50 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.5A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.5A
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 510mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 250W
Gate charge: 30.7nC
на замовлення 951 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 112.24 грн |
5+ | 94.26 грн |
13+ | 72.04 грн |
35+ | 68.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AOT13N50 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 6.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1633 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.
Інші пропозиції AOT13N50 за ціною від 81.84 грн до 134.69 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
AOT13N50 | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.5A; 250W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 8.5A Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 510mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Power dissipation: 250W Gate charge: 30.7nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 951 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
AOT13N50 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
AOT13N50 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
AOT13N50 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1633 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
товару немає в наявності |