AOT2500L ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 107A; 187.5W; TO220
Mounting: THT
Case: TO220
Power dissipation: 187.5W
Gate charge: 97nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 107A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 274.58 грн |
| 5+ | 201.47 грн |
| 13+ | 189.77 грн |
| 100+ | 188.09 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
14-30 дні (днів)
Мінімальна партія:
2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AOT2500L ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Description: MOSFET N-CH 150V 11.5/152A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 152A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 75 V.
Інші пропозиції AOT2500L за ціною від 145.49 грн до 405.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AOT2500L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET N-CH 150V 11.5/152A TO220Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 152A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 75 V |
на замовлення 2351 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| AOT2500L |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 150V 11.5/152A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 152A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 75 V
Description: MOSFET N-CH 150V 11.5/152A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 152A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 75 V
на замовлення 2351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 405.50 грн |
| 10+ | 260.32 грн |
| 50+ | 204.48 грн |
| 100+ | 175.03 грн |
| 500+ | 145.49 грн |



