
AOT25S65L Alpha & Omega Semiconductor
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1000+ | 136.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AOT25S65L Alpha & Omega Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 650V 25A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 12.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 357W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1278 pF @ 100 V.
Інші пропозиції AOT25S65L за ціною від 146.46 грн до 146.46 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
AOT25S65L | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
![]() |
AOT25S65L | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 12.5A, 10V Power Dissipation (Max): 357W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1278 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |