Продукція > ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR > AOT412
AOT412

AOT412 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A3F355335291AA50&compId=AOT412-DTE.pdf?ci_sign=cac3dd48d6900c4e055907ee196094f78b0734b8 Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 75W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 44A
Case: TO220
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 15.8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 75W
Gate charge: 45nC
на замовлення 741 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+91.46 грн
6+76.28 грн
25+69.20 грн
100+65.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AOT412 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Description: MOSFET N-CH 100V 8.2A/60A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 50 V.

Інші пропозиції AOT412 за ціною від 78.32 грн до 109.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AOT412 AOT412 Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A3F355335291AA50&compId=AOT412-DTE.pdf?ci_sign=cac3dd48d6900c4e055907ee196094f78b0734b8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 75W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 44A
Case: TO220
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 15.8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 75W
Gate charge: 45nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 741 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+109.75 грн
5+95.05 грн
25+83.04 грн
100+78.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AOT412 AOT412 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor aot412.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOT412 AOT412 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor aot412.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOT412 AOT412 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOT412.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 8.2A/60A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.