Продукція > ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR > AOT66616L
AOT66616L

AOT66616L ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A6B1C1DAADA9B820&compId=AOT66616L.pdf?ci_sign=86a33e58dd57dd21ef5300f7411f4b073c3d6cf6 Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 95A; 50W; TO220
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 95A
On-state resistance: 3.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 42.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+112.79 грн
5+92.50 грн
12+80.27 грн
32+75.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AOT66616L ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Description: MOSFET N-CH 60V 38.5A/140A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.5A (Ta), 140A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 30 V.

Інші пропозиції AOT66616L за ціною від 90.82 грн до 135.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AOT66616L AOT66616L Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A6B1C1DAADA9B820&compId=AOT66616L.pdf?ci_sign=86a33e58dd57dd21ef5300f7411f4b073c3d6cf6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 95A; 50W; TO220
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 95A
On-state resistance: 3.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 42.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.35 грн
5+115.27 грн
12+96.33 грн
32+90.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AOT66616L AOT66616L Виробник : Alpha & Omega Semiconductor aot66616l.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOT66616L AOT66616L Виробник : Alpha & Omega Semiconductor aot66616l.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOT66616L AOT66616L Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOT66616L.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 38.5A/140A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.5A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.