AOT8N50 Alpha & Omega Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 70.48 грн |
| 50+ | 58.68 грн |
| 100+ | 47.89 грн |
| 500+ | 39.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AOT8N50 Alpha & Omega Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 192W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1042 pF @ 25 V.
Інші пропозиції AOT8N50 за ціною від 41.03 грн до 134.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
AOT8N50 | Alpha & Omega Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
на замовлення 988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
AOT8N50 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.6A; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.6A Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Gate charge: 23.6nC Kind of channel: enhancement |
на замовлення 626 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||
 |
AOT8N50 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 192W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1042 pF @ 25 V |
на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| AOT8N50 |
|
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 181+ | 78.23 грн |
| AOT8N50 |
|
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.6A; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.6A
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.6nC
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.6A; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.6A
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.6nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 626 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 87.31 грн |
| 10+ | 43.68 грн |
| 25+ | 41.03 грн |
| AOT8N50 |
|
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1042 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1042 pF @ 25 V
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 134.53 грн |