Продукція > ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR > AOTF10B60D
AOTF10B60D

AOTF10B60D ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A3F356328B3BCA50&compId=AOTF10B60D-DTE.pdf?ci_sign=fcb7e7e4cfb3024641c14a62fdbee9e463466c8f Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 16.7W; TO220F; Eoff: 0.16mJ; Eon: 0.35mJ
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 16.7W
Case: TO220F
Mounting: THT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Kind of package: tube
Gate charge: 17.4nC
Turn-on time: 25ns
Turn-off time: 80.8ns
Turn-off switching energy: 0.16mJ
Turn-on switching energy: 0.35mJ
Collector-emitter saturation voltage: 1.53V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 40A
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+119.60 грн
5+98.46 грн
12+79.55 грн
33+74.83 грн
500+73.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AOTF10B60D ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Description: IGBT 600V 20A TO-220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 105 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 10A, Supplier Device Package: TO-220F, Td (on/off) @ 25°C: 10ns/72ns, Switching Energy: 260µJ (on), 70µJ (off), Test Condition: 400V, 10A, 30Ohm, 15V, Gate Charge: 17.4 nC, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A, Power - Max: 42 W.

Інші пропозиції AOTF10B60D за ціною від 87.90 грн до 143.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AOTF10B60D AOTF10B60D Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A3F356328B3BCA50&compId=AOTF10B60D-DTE.pdf?ci_sign=fcb7e7e4cfb3024641c14a62fdbee9e463466c8f Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 16.7W; TO220F; Eoff: 0.16mJ; Eon: 0.35mJ
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 16.7W
Case: TO220F
Mounting: THT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Kind of package: tube
Gate charge: 17.4nC
Turn-on time: 25ns
Turn-off time: 80.8ns
Turn-off switching energy: 0.16mJ
Turn-on switching energy: 0.35mJ
Collector-emitter saturation voltage: 1.53V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 40A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+143.52 грн
5+122.69 грн
12+95.46 грн
33+89.79 грн
500+87.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF10B60D AOTF10B60D Виробник : Alpha & Omega Semiconductor aotf10b60d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 42000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF10B60D AOTF10B60D Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. TO220F.pdf Description: IGBT 600V 20A TO-220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 105 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-220F
Td (on/off) @ 25°C: 10ns/72ns
Switching Energy: 260µJ (on), 70µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 30Ohm, 15V
Gate Charge: 17.4 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 42 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.