AOTF10B60D ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 16.7W; TO220F; Eoff: 0.16mJ; Eon: 0.35mJ
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 16.7W
Case: TO220F
Mounting: THT
Turn-on time: 25ns
Turn-off time: 80.8ns
Collector current: 10A
Collector-emitter voltage: 600V
Kind of package: tube
Gate charge: 17.4nC
Collector-emitter saturation voltage: 1.53V
Turn-on switching energy: 0.35mJ
Turn-off switching energy: 0.16mJ
Pulsed collector current: 40A
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 116.37 грн |
| 5+ | 95.79 грн |
| 12+ | 76.63 грн |
| 33+ | 72.04 грн |
| 500+ | 71.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AOTF10B60D ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Description: IGBT 600V 20A TO-220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 105 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 10A, Supplier Device Package: TO-220F, Td (on/off) @ 25°C: 10ns/72ns, Switching Energy: 260µJ (on), 70µJ (off), Test Condition: 400V, 10A, 30Ohm, 15V, Gate Charge: 17.4 nC, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A, Power - Max: 42 W.
Інші пропозиції AOTF10B60D за ціною від 85.52 грн до 139.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
AOTF10B60D | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 16.7W; TO220F; Eoff: 0.16mJ; Eon: 0.35mJ Type of transistor: IGBT Power dissipation: 16.7W Case: TO220F Mounting: THT Turn-on time: 25ns Turn-off time: 80.8ns Collector current: 10A Collector-emitter voltage: 600V Kind of package: tube Gate charge: 17.4nC Collector-emitter saturation voltage: 1.53V Turn-on switching energy: 0.35mJ Turn-off switching energy: 0.16mJ Pulsed collector current: 40A Gate-emitter voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 754 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
AOTF10B60D | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 42000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220F |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
AOTF10B60D | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: IGBT 600V 20A TO-220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 105 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 10A Supplier Device Package: TO-220F Td (on/off) @ 25°C: 10ns/72ns Switching Energy: 260µJ (on), 70µJ (off) Test Condition: 400V, 10A, 30Ohm, 15V Gate Charge: 17.4 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A Power - Max: 42 W |
товару немає в наявності |