Продукція > ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR > AOTF10B60D2
AOTF10B60D2

AOTF10B60D2 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A6B1C1DAADAB1820&compId=AOTF10B60D2.pdf?ci_sign=37b7a175076d1a2e6f71aed38b82bfc136e5bb01 Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 12W; TO220F; Eoff: 0.04mJ; Eon: 0.14mJ
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 12W
Case: TO220F
Mounting: THT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Kind of package: tube
Gate charge: 9.4nC
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 124ns
Turn-off switching energy: 0.04mJ
Turn-on switching energy: 0.14mJ
Collector-emitter saturation voltage: 1.55V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 20A
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+89.06 грн
6+74.83 грн
16+62.22 грн
42+58.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AOTF10B60D2 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Description: IGBT 600V 23A TO-220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 98 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 5A, Supplier Device Package: TO-220F, Td (on/off) @ 25°C: 12ns/83ns, Switching Energy: 140µJ (on), 40µJ (off), Test Condition: 400V, 5A, 60Ohm, 15V, Gate Charge: 9.4 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 23 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A, Power - Max: 31.2 W.

Інші пропозиції AOTF10B60D2 за ціною від 67.11 грн до 106.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AOTF10B60D2 AOTF10B60D2 Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A6B1C1DAADAB1820&compId=AOTF10B60D2.pdf?ci_sign=37b7a175076d1a2e6f71aed38b82bfc136e5bb01 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 12W; TO220F; Eoff: 0.04mJ; Eon: 0.14mJ
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 12W
Case: TO220F
Mounting: THT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Kind of package: tube
Gate charge: 9.4nC
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 124ns
Turn-off switching energy: 0.04mJ
Turn-on switching energy: 0.14mJ
Collector-emitter saturation voltage: 1.55V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 204 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+106.88 грн
5+93.25 грн
16+74.67 грн
42+69.94 грн
1000+67.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF10B60D2 AOTF10B60D2 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor aotf10b60d2.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 31200mW 3-Pin(3+Tab) TO-220F T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF10B60D2 AOTF10B60D2 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTF10B60D2.pdf Description: IGBT 600V 23A TO-220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 98 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: TO-220F
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/83ns
Switching Energy: 140µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 5A, 60Ohm, 15V
Gate Charge: 9.4 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 23 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A
Power - Max: 31.2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.