Продукція > ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR INC. > AOTF10B65M2
AOTF10B65M2

AOTF10B65M2 Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOTF10B65M2.pdf
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: IGBT 650V 20A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 262 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-220
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/91ns
Switching Energy: 180µJ (on), 130µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 30Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 30 W
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+201.44 грн
10+125.52 грн
100+86.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AOTF10B65M2 Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: IGBT 650V 20A TO-220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 262 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A, Supplier Device Package: TO-220, Td (on/off) @ 25°C: 12ns/91ns, Switching Energy: 180µJ (on), 130µJ (off), Test Condition: 400V, 10A, 30Ohm, 15V, Gate Charge: 24 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A, Power - Max: 30 W.

Інші пропозиції AOTF10B65M2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
AOTF10B65M2 AOTF10B65M2 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOTF10B65M2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 10A; 12W; TO220F; Eoff: 0.13mJ; Eon: 0.18mJ
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Case: TO220F
Kind of package: tube
Gate charge: 24nC
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 131ns
Turn-off switching energy: 0.13mJ
Turn-on switching energy: 0.18mJ
Collector-emitter saturation voltage: 1.6V
Collector current: 10A
Power dissipation: 12W
Pulsed collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF10B65M2 AOTF10B65M2.pdf
AOTF10B65M2
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 10A; 12W; TO220F; Eoff: 0.13mJ; Eon: 0.18mJ
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Case: TO220F
Kind of package: tube
Gate charge: 24nC
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 131ns
Turn-off switching energy: 0.13mJ
Turn-on switching energy: 0.18mJ
Collector-emitter saturation voltage: 1.6V
Collector current: 10A
Power dissipation: 12W
Pulsed collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.