AOTF10N65 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.2A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.7nC
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.2A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.7nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 85.95 грн |
6+ | 71.53 грн |
15+ | 60.23 грн |
40+ | 57.22 грн |
500+ | 54.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AOTF10N65 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Description: MOSFET N-CH 650V 10A TO220-3F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1645 pF @ 25 V.
Інші пропозиції AOTF10N65 за ціною від 65.96 грн до 103.14 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
AOTF10N65 | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 6.2A Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1Ω Mounting: THT Gate charge: 27.7nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 596 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
AOTF10N65 Код товару: 165192 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||
AOTF10N65 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220F |
товар відсутній |
||||||||||||||
AOTF10N65 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET N-CH 650V 10A TO220-3F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1645 pF @ 25 V |
товар відсутній |