Продукція > AOS > AOTF15B65M1

AOTF15B65M1 AOS

AOTF15B65M1.pdf
Виробник: AOS
Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 36000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220F Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AOTF15B65M1 AOS

Description: IGBT 650V 15A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 317 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 15A, Supplier Device Package: TO-220, Td (on/off) @ 25°C: 15ns/94ns, Switching Energy: 290µJ (on), 200µJ (off), Test Condition: 400V, 15A, 20Ohm, 15V, Gate Charge: 32 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A, Power - Max: 36 W.

Інші пропозиції AOTF15B65M1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
AOTF15B65M1 AOTF15B65M1 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTF15B65M1.pdf Description: IGBT 650V 15A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 317 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-220
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/94ns
Switching Energy: 290µJ (on), 200µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 32 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 36 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF15B65M1 AOTF15B65M1 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOTF15B65M1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 14W; TO220F; Eoff: 0.2mJ; Eon: 0.29mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 15A
Power dissipation: 14W
Case: TO220F
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 34ns
Turn-off time: 135ns
Collector-emitter saturation voltage: 1.7V
Turn-off switching energy: 0.2mJ
Turn-on switching energy: 0.29mJ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF15B65M1 AOTF15B65M1.pdf
AOTF15B65M1
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: IGBT 650V 15A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 317 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-220
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/94ns
Switching Energy: 290µJ (on), 200µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 32 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 36 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF15B65M1 AOTF15B65M1.pdf
AOTF15B65M1
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 14W; TO220F; Eoff: 0.2mJ; Eon: 0.29mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 15A
Power dissipation: 14W
Case: TO220F
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 34ns
Turn-off time: 135ns
Collector-emitter saturation voltage: 1.7V
Turn-off switching energy: 0.2mJ
Turn-on switching energy: 0.29mJ
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.