AOTF160A60L Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 600V 24A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 34.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 332.34 грн |
| 10+ | 211.49 грн |
| 50+ | 164.78 грн |
| 100+ | 140.54 грн |
| 500+ | 115.84 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AOTF160A60L Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 600V 24A TO220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 34.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V.
Інші пропозиції AOTF160A60L
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| AOTF160A60L | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; Idm: 96A; 34.7W; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 34.7W Case: TO220F Mounting: THT Gate charge: 46nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.16Ω Pulsed drain current: 96A Polarisation: unipolar Drain current: 24A |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |
 |
AOTF160A60L | Alpha & Omega Semiconductor |
N Channel Power Transistor |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. |
| AOTF160A60L |
|
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; Idm: 96A; 34.7W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 34.7W
Case: TO220F
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Pulsed drain current: 96A
Polarisation: unipolar
Drain current: 24A
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; Idm: 96A; 34.7W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 34.7W
Case: TO220F
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Pulsed drain current: 96A
Polarisation: unipolar
Drain current: 24A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AOTF160A60L |
|
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
N Channel Power Transistor
N Channel Power Transistor
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.