AOTF256L ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 8.5A; 16W; TO220F
Mounting: THT
Gate charge: 7nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 8.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220F
On-state resistance: 85mΩ
Power dissipation: 16W
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15+ | 30.71 грн |
| 16+ | 26.50 грн |
| 25+ | 25.33 грн |
| 100+ | 24.15 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
14-30 дні (днів)
Мінімальна партія:
15 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AOTF256L ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Description: MOSFET N-CH 150V 3A/12A TO220-3F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 33W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1165 pF @ 75 V.
Інші пропозиції AOTF256L
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| AOTF256L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET N-CH 150V 3A/12A TO220-3F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1165 pF @ 75 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. |
| AOTF256L |
|
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 150V 3A/12A TO220-3F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1165 pF @ 75 V
Description: MOSFET N-CH 150V 3A/12A TO220-3F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1165 pF @ 75 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.