AOTF4N90

AOTF4N90 Alpha & Omega Semiconductor


51132603309685376aotf4n90.pdf Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 900V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AOTF4N90 Alpha & Omega Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 900V 4A TO220-3F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 37W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V.

Інші пропозиції AOTF4N90

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AOTF4N90 AOTF4N90 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor aotf4n90.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF4N90 AOTF4N90 Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A3F356F76D88AA50&compId=AOTF4N90-DTE.pdf?ci_sign=66e5a8491627115c15058820149ac04ee8eef20b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.5A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.5A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18.4nC
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF4N90 AOTF4N90 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. TO220F.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 4A TO220-3F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF4N90 AOTF4N90 Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A3F356F76D88AA50&compId=AOTF4N90-DTE.pdf?ci_sign=66e5a8491627115c15058820149ac04ee8eef20b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.5A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.5A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18.4nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.