AOTF7N60FD
Код товару: 166194
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції AOTF7N60FD
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
AOTF7N60FD | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220-3F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 995 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
AOTF7N60FD | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.7A; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 4.7A Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.45Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 20nC |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. |
| AOTF7N60FD |
|
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220-3F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 995 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220-3F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 995 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AOTF7N60FD |
|
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.7A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.7A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.45Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 20nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.7A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.7A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.45Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 20nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.