Продукція > ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR INC. > AOU3N50
AOU3N50

AOU3N50 Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD3N50.pdf Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 500V 2.8A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 331 pF @ 25 V
на замовлення 916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+43.22 грн
10+ 35.93 грн
100+ 24.86 грн
500+ 19.5 грн
Мінімальне замовлення: 7
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AOU3N50 Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 500V 2.8A TO251-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 57W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-251-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 331 pF @ 25 V.

Інші пропозиції AOU3N50

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
AOU3N50 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor AOD3N50.pdf
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)