Продукція > ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR > AOW11N60
AOW11N60

AOW11N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED783C67489695FA259&compId=AOW11N60.pdf?ci_sign=8ae63b40ff04a03ac269396f8fcbb1e00ca1f405 Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30.6nC
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+29.64 грн
15+26.45 грн
25+25.30 грн
38+24.23 грн
103+22.93 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AOW11N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO262, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 272W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-262, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 25 V.

Інші пропозиції AOW11N60 за ціною від 27.52 грн до 133.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AOW11N60 AOW11N60 Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED783C67489695FA259&compId=AOW11N60.pdf?ci_sign=8ae63b40ff04a03ac269396f8fcbb1e00ca1f405 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30.6nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 666 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+32.96 грн
25+30.37 грн
38+29.08 грн
103+27.52 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
AOW11N60 AOW11N60 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOW11N60.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 25 V
на замовлення 769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+133.37 грн
50+68.27 грн
100+61.97 грн
500+47.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AOW11N60 AOW11N60 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor 51140412823419944aow11n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.