Продукція > ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR > AOY2610E
AOY2610E

AOY2610E ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A6B1C29C52D33820&compId=AOY2610E.pdf?ci_sign=1efb32937b90c811caebc5b98f1c407310b30154 Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36.5A; 23.5W; TO251; ESD
Case: TO251
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Gate charge: 14.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36.5A
On-state resistance: 9.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 23.5W
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+55.87 грн
12+35.29 грн
33+28.22 грн
91+26.65 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AOY2610E ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 19A TO251B, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 59.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-251B, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 30 V.

Інші пропозиції AOY2610E за ціною від 31.32 грн до 67.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AOY2610E AOY2610E Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A6B1C29C52D33820&compId=AOY2610E.pdf?ci_sign=1efb32937b90c811caebc5b98f1c407310b30154 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36.5A; 23.5W; TO251; ESD
Case: TO251
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Gate charge: 14.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36.5A
On-state resistance: 9.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 23.5W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 370 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.04 грн
10+43.98 грн
33+33.86 грн
91+31.98 грн
490+31.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AOY2610E
Код товару: 198546
Додати до обраних Обраний товар

AOY2610E.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOY2610E AOY2610E Виробник : Alpha & Omega Semiconductor aoi2610e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-251B Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOY2610E Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOY2610E.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 19A TO251B
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.