APL1001J
Виробник: на замовлення 2080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APL1001J
Description: MOSFET N-CH 1000V 18A ISOTOP, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 520W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA, Supplier Device Package: ISOTOP®, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V.
Інші пропозиції APL1001J
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
APL1001J | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 1KV 18A 4-Pin SOT-227 Tube |
товар відсутній |
|
 |
APL1001J | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 1000V 18A ISOTOP Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 520W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA Supplier Device Package: ISOTOP® Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
 |
APL1001J | Виробник : Microchip Technology |
Discrete Semiconductor Modules MOSFET Linear 1000 V 18 A SOT-227 |
товар відсутній |