Технічний опис APT1001RBVRG Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 1000V 11A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 500mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-247 [B], Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 25 V.
Інші пропозиції APT1001RBVRG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| APT1001RBVRG | Виробник : MICROSEMI |
 TO247/POWER MOSFET - MOS5 APT1001кількість в упаковці: 30 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
APT1001RBVRG | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 1000V 11A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 500mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247 [B] Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |