Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT1001RBVRG Microsemi
Description: MOSFET N-CH 1000V 11A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 500mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-247 [B], Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 25 V.
Інші пропозиції APT1001RBVRG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
APT1001RBVRG | Microchip Technology |
 MOSFETs MOSFET MOS5 1000 V 1 Ohm TO-247 |
на замовлення 219 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| APT1001RBVRG |
|
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs MOSFET MOS5 1000 V 1 Ohm TO-247
MOSFETs MOSFET MOS5 1000 V 1 Ohm TO-247
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)