Технічний опис APT10021JLL Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 1000V 37A ISOTOP, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 18.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 694W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA, Supplier Device Package: ISOTOP®, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 395 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9750 pF @ 25 V.
Інші пропозиції APT10021JLL
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
APT10021JLL | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
||
APT10021JLL | Виробник : MICROSEMI |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
товару немає в наявності |
||
![]() |
APT10021JLL | Виробник : Microchip Technology |
![]() Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 18.5A, 10V Power Dissipation (Max): 694W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Supplier Device Package: ISOTOP® Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 395 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9750 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
APT10021JLL | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |