APT10025JVR Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1000V 34A ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: ISOTOP®
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 990 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 25 V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 6061.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT10025JVR Microchip Technology
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; single transistor; 1kV; 34A; ISOTOP; screw; Idm: 136A; 700W, Technology: POWER MOS 5®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1kV, Drain current: 34A, Pulsed drain current: 136A, Power dissipation: 700W, Case: ISOTOP, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.25Ω, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Semiconductor structure: single transistor, Mechanical mounting: screw, Electrical mounting: screw, Type of semiconductor module: MOSFET transistor.
Інші пропозиції APT10025JVR за ціною від 5616.67 грн до 6596.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| APT10025JVR | Виробник : Microchip Technology |
MOSFET Modules Power Mos V N-CH 1KV 34A 4-Pin |
на замовлення 32 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||
 |
APT10025JVR | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 1KV 34A 4-Pin SOT-227 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
APT10025JVR | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 1KV 34A 4-Pin SOT-227 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||
| APT10025JVR | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 1kV; 34A; ISOTOP; screw; Idm: 136A; 700W Technology: POWER MOS 5® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 34A Pulsed drain current: 136A Power dissipation: 700W Case: ISOTOP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.25Ω Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Semiconductor structure: single transistor Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw Type of semiconductor module: MOSFET transistor |
товару немає в наявності |