APT10025JVR Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1000V 34A ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: ISOTOP®
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 990 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 25 V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 6062.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT10025JVR Microchip Technology
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; single transistor; 1kV; 34A; ISOTOP; screw; Idm: 136A; 700W, Kind of channel: enhancement, Case: ISOTOP, Type of semiconductor module: MOSFET transistor, Technology: POWER MOS 5®, Mechanical mounting: screw, Electrical mounting: screw, Semiconductor structure: single transistor, Kind of package: tube, Polarisation: unipolar, On-state resistance: 0.25Ω, Drain current: 34A, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 136A, Power dissipation: 700W, Drain-source voltage: 1kV.
Інші пропозиції APT10025JVR за ціною від 5618.36 грн до 6598.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| APT10025JVR | Виробник : Microchip Technology |
MOSFET Modules Power Mos V N-CH 1KV 34A 4-Pin |
на замовлення 32 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||
 |
APT10025JVR | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 1KV 34A 4-Pin SOT-227 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
APT10025JVR | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 1KV 34A 4-Pin SOT-227 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||
| APT10025JVR | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 1kV; 34A; ISOTOP; screw; Idm: 136A; 700W Kind of channel: enhancement Case: ISOTOP Type of semiconductor module: MOSFET transistor Technology: POWER MOS 5® Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw Semiconductor structure: single transistor Kind of package: tube Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.25Ω Drain current: 34A Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 136A Power dissipation: 700W Drain-source voltage: 1kV |
товару немає в наявності |