Технічний опис APT10026L2FLLG Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 1000V 38A 264 MAX, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 19A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA, Supplier Device Package: 264 MAX™ [L2], Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 267 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7114 pF @ 25 V.
Інші пропозиції APT10026L2FLLG
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
APT10026L2FLLG | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
APT10026L2FLLG | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|
APT10026L2FLLG | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
||
APT10026L2FLLG | Виробник : MICROSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
||
|
APT10026L2FLLG | Виробник : Microchip Technology |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 19A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Supplier Device Package: 264 MAX™ [L2] Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 267 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7114 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
![]() |
APT10026L2FLLG | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |