Технічний опис APT10035JFLL Microsemi
Description: MOSFET N-CH 1000V 25A ISOTOP, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 14A, 10V, Power Dissipation (Max): 520W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA, Supplier Device Package: ISOTOP®, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5185 pF @ 25 V.
Інші пропозиції APT10035JFLL
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
APT10035JFLL | Виробник : Microchip Technology |
 Trans MOSFET N-CH 1KV 25A 4-Pin SOT-227 Tube |
товару немає в наявності |
|
| APT10035JFLL | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
APT10035JFLL Transistor modules MOSFET |
товару немає в наявності |
||
 |
APT10035JFLL | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 1000V 25A ISOTOP Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 520W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Supplier Device Package: ISOTOP® Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5185 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |