APT10035JLL Microchip Technology
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3883.45 грн |
| 10+ | 3827.22 грн |
| 100+ | 3057.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT10035JLL Microchip Technology
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; single transistor; 1kV; 25A; ISOTOP; screw; Idm: 100A; 520W, Type of module: MOSFET transistor, Case: ISOTOP, Technology: POWER MOS 7®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 100A, Semiconductor structure: single transistor, Drain-source voltage: 1kV, Drain current: 25A, On-state resistance: 0.35Ω, Power dissipation: 520W, Polarisation: unipolar, Electrical mounting: screw, Mechanical mounting: screw, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APT10035JLL
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
APT10035JLL Код товару: 117751 |
Транзистори > IGBT |
товар відсутній
|
||
 |
APT10035JLL | Виробник : Microchip Technology |
 Trans MOSFET N-CH 1KV 25A 4-Pin SOT-227 Tube |
товар відсутній |
|
| APT10035JLL | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 1kV; 25A; ISOTOP; screw; Idm: 100A; 520W Type of module: MOSFET transistor Case: ISOTOP Technology: POWER MOS 7® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 100A Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 1kV Drain current: 25A On-state resistance: 0.35Ω Power dissipation: 520W Polarisation: unipolar Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
| APT10035JLL | Виробник : MICROSEMI |
ISOTOP/POWER MOSFET - MOS7 APT10035 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
| APT10035JLL | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 1kV; 25A; ISOTOP; screw; Idm: 100A; 520W Type of module: MOSFET transistor Case: ISOTOP Technology: POWER MOS 7® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 100A Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 1kV Drain current: 25A On-state resistance: 0.35Ω Power dissipation: 520W Polarisation: unipolar Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw |
товар відсутній |