APT10035JLL Microchip Technology
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3659.16 грн |
| 10+ | 3628.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT10035JLL Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 1000V 25A ISOTOP, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 14A, 10V, Power Dissipation (Max): 520W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA, Supplier Device Package: ISOTOP®, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5185 pF @ 25 V.
Інші пропозиції APT10035JLL за ціною від 3510.42 грн до 4459.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
APT10035JLL | Виробник : Microchip Technology |
 Trans MOSFET N-CH 1KV 25A 4-Pin SOT-227 Tube |
на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
APT10035JLL | Виробник : Microchip Technology |
Discrete Semiconductor Modules FG, MOSFET, 1000V, 0.35_OHM, SOT-227 |
на замовлення 38 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
APT10035JLL Код товару: 117751
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > IGBT |
товару немає в наявності
|
||||||||||
 |
APT10035JLL | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 1KV 25A 4-Pin SOT-227 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
| APT10035JLL | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 1kV; 25A; ISOTOP; screw; Idm: 100A; 520W Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 1kV Drain current: 25A Electrical mounting: screw On-state resistance: 0.35Ω Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 520W Technology: POWER MOS 7® Gate-source voltage: ±30V Mechanical mounting: screw Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Case: ISOTOP Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||
| APT10035JLL | Виробник : MICROSEMI |
ISOTOP/POWER MOSFET - MOS7 APT10035 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||
 |
APT10035JLL | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 1000V 25A ISOTOP Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 520W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Supplier Device Package: ISOTOP® Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5185 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||
| APT10035JLL | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 1kV; 25A; ISOTOP; screw; Idm: 100A; 520W Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 1kV Drain current: 25A Electrical mounting: screw On-state resistance: 0.35Ω Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 520W Technology: POWER MOS 7® Gate-source voltage: ±30V Mechanical mounting: screw Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Case: ISOTOP Polarisation: unipolar |
товару немає в наявності |