APT10035LLLG Microchip Technology
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT10035LLLG Microchip Technology
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 28A; Idm: 112A; 690W; TO264, Case: TO264, Mounting: THT, Technology: POWER MOS 7®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 112A, Drain-source voltage: 1kV, Drain current: 28A, On-state resistance: 0.35Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 690W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 186nC, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APT10035LLLG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| APT10035LLLG | Виробник : Microchip / Microsemi |
 MOSFET FG, MOSFET,1000V, TO-264, RoHS |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||
 |
APT10035LLLG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 28A; Idm: 112A; 690W; TO264 Case: TO264 Mounting: THT Technology: POWER MOS 7® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 112A Drain-source voltage: 1kV Drain current: 28A On-state resistance: 0.35Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 690W Polarisation: unipolar Gate charge: 186nC кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
| APT10035LLLG | Виробник : MICROSEMI |
TO264/POWER MOSFET - MOS7 APT10035 кількість в упаковці: 25 шт |
товар відсутній |
||
|
|
APT10035LLLG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 28A; Idm: 112A; 690W; TO264 Case: TO264 Mounting: THT Technology: POWER MOS 7® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 112A Drain-source voltage: 1kV Drain current: 28A On-state resistance: 0.35Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 690W Polarisation: unipolar Gate charge: 186nC |
товар відсутній |