Технічний опис APT10035LLLG Microchip / Microsemi
Description: MOSFET N-CH 1000V 28A TO264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 14A, 10V, Power Dissipation (Max): 690W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA, Supplier Device Package: TO-264 [L], Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5185 pF @ 25 V.
Інші пропозиції APT10035LLLG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| APT10035LLLG | Microchip Technology |
MOSFETs MOSFET MOS7 1000 V 35 Ohm TO-264 |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| APT10035LLLG |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs MOSFET MOS7 1000 V 35 Ohm TO-264
MOSFETs MOSFET MOS7 1000 V 35 Ohm TO-264
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)


