Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > APT10035LLLG

APT10035LLLG Microchip Technology

Виробник: Microchip Technology
MOSFETs MOSFET MOS7 1000 V 35 Ohm TO-264

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	2458.96 грн
100+	2093.27 грн

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис APT10035LLLG Microchip Technology

Description: MOSFET N-CH 1000V 28A TO264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 14A, 10V, Power Dissipation (Max): 690W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA, Supplier Device Package: TO-264 [L], Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5185 pF @ 25 V.

Інші пропозиції APT10035LLLG

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
APT10035LLLG	Виробник : Microchip / Microsemi	MOSFET FG, MOSFET,1000V, TO-264, RoHS	на замовлення 12 шт: термін постачання 21-30 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
APT10035LLLG	Виробник : Microchip Technology	Trans MOSFET N-CH 1KV 28A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APT10035LLLG	Виробник : MICROSEMI	TO264/POWER MOSFET - MOS7 APT10035 кількість в упаковці: 25 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APT10035LLLG	Виробник : Microchip Technology	Description: MOSFET N-CH 1000V 28A TO264 Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 690W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Supplier Device Package: TO-264 [L] Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5185 pF @ 25 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.